Оптоэлектронные приборы

Купить Оптоэлектронные приборы в компании Олниса можно оптом или в розницу. Доставим Оптоэлектронные приборы в любой регион России. Можем предложить точный аналог. Работаем напрямую с производителем, не используя посредников.

Оптоэлектроника

Оптоэлектронные устройства используются для активации или деактивации электронной схемы в зависимости от интенсивности света. Помимо этого общего назначения, оптоэлектронные устройства используются в телекоммуникациях, системах наблюдения, улавливании солнечной энергии и т.д. Твердотельные оптоэлектронные компоненты используются в качестве датчиков для обнаружения видимого света, инфракрасных лучей лазера, ультрафиолетовых лучей и т.д. Приведенная здесь заметка объясняет различные типы устройств оптоэлектроники и их применение.

Основные категории оптоэлектронных компонентов

Оптоэлектронные устройства можно разделить на две широкие категории:

• Фотопроводящие устройства

Это устройства, обнаруживающие изменения интенсивности света для активации или подавления цепи. Важными компонентами, относящимися к этой категории, являются LDR, Фотодиоды, фототранзисторы и т.д.

• Фотоэлектрические устройства

Эти устройства генерируют напряжение и ток, принимая энергию от света. В зависимости от интенсивности света, падающего на p-n-переход этих устройств, будут генерироваться соответствующие напряжение и ток. Солнечные элементы и фотоэлектрические элементы относятся к этой категории.

Фотопроводящие устройства

Электропроводность полупроводящего материала, используемого в фотопроводящих устройствах, изменяется в зависимости от интенсивности света. Как правило, эти устройства обладают высоким сопротивлением в темноте и очень низким сопротивлением при ярком освещении. Типичными фотопроводящими устройствами являются:

• Светозависимый резистор – LDR

LDR-это небольшое устройство, используемое для обнаружения изменения интенсивности света. Это своего рода переменный резистор, и сопротивление зависит от интенсивности падающего на него света. В полной темноте его сопротивление достигает 10 Мегаом, что при ярком освещении снижается до нескольких Ом. LDR называют ячейками CdS, потому что его полупроводником является сульфид кадмия. Его светочувствительная область легирована примесями, такими как серебро, сурьма или индий. Когда свет падает на полупроводниковый материал, происходит реакция и возникает электропроводность. По своей структуре LDR имеет тонкую полупроводниковую линию в форме зигзага, заключенную в прозрачный корпус. LDR может выдерживать очень большой ток, и даже переменный ток проходит через него, не причиняя вреда устройству. Два вывода возникают с двух концов полупроводника. LDR доступен в размерах 3 мм, 5 мм, 10 мм, 20 мм и т.д.

• Фотодиод

Это устройство светодиодного типа, используемое в режиме обратного смещения для генерации фототока. Фотодиоды-это высокоскоростные устройства, которые генерируют ток (в мкА), когда на него падает свет. Фотодиод имеет большой p-n переход, и фотоны, попадающие на переход, вызывают разрыв ковалентных связей в полупроводнике с образованием электронно-дырочных пар. Когда интенсивность освещения увеличивается, образуются дополнительные пары электрон-дырка и поток тока увеличивается.

• Фототранзисторы

Фототранзисторы похожи на фотодиоды, но они усиливают ток, генерируемый обратным смещенным p-n переходом. Фототранзисторы-это светочувствительные двухдиодные устройства с двумя переходами, разделенными широкой базовой областью. У него есть n-p-n-переход. Соединение n-p остается слегка смещенным вперед, а соединение p-n слегка смещено назад. Когда свет освещает n-p переход, образуются пары электрон-дырка. Затем электроны диффундируют из области p, в то время как дырки остаются в области p. Это образует положительный заряд. Это увеличивает прямое смещение n-p перехода и увеличивает поток тока. Фототранзисторы обычно подключаются в режиме общей базы, при этом базовое соединение остается не подключенным. В цепи подключены только коллектор и эмиттер. Существует прозрачное окно с фокусирующей линзой для пропускания света в полупроводниковый переход. Фототранзисторы Дарлингтона также доступны с большей чувствительностью.

• Инфракрасные Диоды

Это фотодиодиоды, излучающие свет в инфракрасной области, который невидим для глаза. p-n-переход ИК-диода состоит из арсенида галлия. Существует рекомбинационный переход между полупроводником типа p и n. Когда разность потенциалов прикладывается между анодом и катодом ИК-диода, электроны перемещаются из области n и объединяются с отверстиями области p. Рекомбинация электронов и отверстий происходит в области рекомбинации, а фотоэмиссия происходит в виде инфракрасного излучения. Лучи имеют длину волны около 900 нанометров.

Фотоэлектрические устройства - солнечные элементы

Это фотоэлектрические преобразователи, генерирующие электрический ток за счет приема световой энергии. Фотоэлемент имеет множество последовательно соединенных p-n переходов. Один из этих переходов очень узкий, чтобы пропускать световую энергию. Когда солнечный свет падает на p-n переход, образуются пары электрон-дырка. Эти носители заряда генерируют ток, пропорциональный энергии падающего света. Солнечный свет, падающий на полупроводниковый переход солнечного элемента, сталкивается с валентными электронами. Это вызывает образование носителей заряда, которые пересекают p-n-переход противоположным образом и создают напряжение на p-n-переходе. От каждого солнечного элемента будет вырабатываться примерно 0,6 вольта.

Где купить оптоэлектронные приборы

Мультибрендовая компания Олниса представляет широкий ассортимент оптоэлектронных устройств от мировых торговых марок. Доставка осуществляется по территории Российской Федерации и в страны СНГ. На весь товар сохраняется полная гарантия от производителя.