Фотодиоды (12 брендов, 0 товаров)

Купить Фотодиоды в компании Олниса можно оптом или в розницу. Доставим Фотодиоды в любой регион России. Можем предложить точный аналог. Работаем напрямую с производителем, не используя посредников.

Фототранзистор против фотодиода: какой детектор лучше

Все фототранзисторы и фотодиоды выполняют одну и ту же функцию: они принимают падающий свет и преобразуют его в электричество. Это происходит благодаря тому же явлению, что и в фотоэлектрических элементах: входящие фотоны возбуждают носители заряда на более высокий энергетический уровень, и носители заряда могут быть извлечены в компонент/цепь нагрузки. Фототранзисторы и фотодиоды являются аналогами обычных транзисторов и диодов.

Конструкции этих устройств аналогичны их электрическому аналогу с точки зрения легирования. Фотодиоды имеют аналогичную структуру, что и обычные диоды, где в устройстве используется pn, pin или аналогичный профиль легирования. Фототранзистор обычно строится как биполярный транзистор NPN или PNP или как транзистор на полевом транзисторе. Встроенное в материал напряжение используется для извлечения носителей заряда, как в обычном диоде или транзисторе.

Материалы для фототранзисторов и фотодиодов

Оба элемента схемы предназначены для работы в диапазоне длин волн, и этот диапазон возможных рабочих длин волн может быть довольно широким для обычных полупроводниковых материалов. Фототранзистор или фотодиодный датчик будет иметь спектр чувствительности, который зависит от спектра поглощения материалов, используемых для создания устройства. Спектр поглощения этих материалов обычно изменяется с помощью стандартных процессов легирования. Некоторые распространенные материалы и их полезные длины волн:

1. Материалы группы IV (Si и Ge): Si обычно используется для ближнего ИК (длины волн MMF) и видимого света. Si имеет непрямую запрещенную зону при 1,1 эВ, что дает край поглощения ~ 1100 нм. Перенасыщенное легирование может быть одним из методов расширения поглощения кремниевым фотодиодом до длин волн SMF. Ge более дорогостоящий, чем Si, но он чувствителен до 1600 нм благодаря более узкой прямой запрещенной зоне. Устройства Ge имеют более низкое сопротивление шунта, чем другие материалы фотодиодов / фототранзисторов, что создает больший тепловой шум в выходном токе. Поэтому его использование с длинами волн SMF менее желательно.
2. Материалы III-V (InGaAs, GaAs, GaAlAs и InAs): InGaAs - это обычный фототранзисторный и фотодиодный материал, чувствительный к ~ 2600 нм. Чувствительность и низкая емкость перехода (<1 нФ) делают фотодиоды InGaAs стандартным выбором для детекторов с высокой скоростью передачи данных в оптоволоконных каналах SMF (1310 и 1550 нм). Нестехиометрический In (1-x) GaxAs обычно используется для настраиваемого фотонного отклика, когда увеличение содержания Ga в тройном сплаве увеличивает ширину запрещенной зоны. Поглощение в GaAlAs также варьируется от 1,42 эВ (GaAs) до 2,16 эВ (AlAs) в зависимости от стехиометрии. Наконец, InAs следует использовать, когда ваша система требует чувствительности до длин волн глубокого ИК-диапазона (~ 3800 нм).
3. Материалы II-VI: этот класс материалов включает кандидатов для будущих электронно-фотонных интегральных схем (EPIC), и исследования в этой области очень активны, и еще неизвестно, будут ли материалы II-VI широко коммерциализированы и использоваться в массовом порядке. -изготовленные схемы EPIC.

Фототранзистор против фотодиодных схем

Эти два элемента схемы по-разному включены в реальную схему. Они также могут быть интегрированы в матричные детекторы (например, КМОП-детекторы или ПЗС-матрицы), где необходимые элементы схемы реализованы на кристалле. Если вы работаете с настраиваемой системой, в которой используются дискретные компоненты, вам необходимо использовать определенные схемы для работы с каждым типом детектора.

• Фототранзисторные схемы

Фототранзистор можно подключить к общему коллектору, общему эмиттеру или другой стандартной конфигурации транзистора для извлечения тока. Когда на устройство не падает свет, они работают как любой другой транзистор (как трехконтактное устройство). Когда свет падает на устройство, он поглощается основанием. Это эквивалентно увеличению тока базы в устройстве. Из-за этого фототранзистор может работать как двухконтактное устройство (т.е. с плавающим базовым соединением). При работе в качестве 3-контактного устройства выходной ток можно модулировать, регулируя базовое напряжение (для устройств NPN или PNP) или напряжение затвора (для устройств на полевых транзисторах).

• Схемы фототранзисторов NPN

При работе в качестве 3-контактного устройства выходной ток, наблюдаемый на нагрузке, можно модулировать, регулируя входной базовый ток. Это означает, что устройство действует как выключатель со встроенным порогом. Когда падающий свет достаточно интенсивен, а ток, посылаемый от источника в базу, достаточно велик, напряжение база-эмиттер изменяется, и ток может легко проходить через устройство. Однако это можно подавить, снизив общий базовый ток, что требует регулировки внешнего смещения на базе. Такое поведение переключения делает фототранзисторы полезными в ряде приложений, которые требуют измерения состояния ВКЛ или ВЫКЛ, а не конкретного измерения интенсивности.

• Фотодиодные схемы

Фотодиод в реальной цепи может работать в фотоэлектрическом режиме (когда он работает в прямом смещении) или в фотодиодном режиме (когда работает в обратном смещении). Фотодиоды работают с обратным смещением, поскольку это обеспечивает линейный отклик, а диапазон чувствительности может быть довольно большим. Выходной ток можно направить непосредственно на нагрузку или в схему усилителя. 

Фотодиод вместе с усилителем и аналого-цифровым преобразователем (АЦП) также можно использовать для приема цифровых данных, закодированных в оптических импульсах с амплитудной модуляцией или ШИМ. В случае ШИМ вам нужно будет учитывать полосу пропускания вашего фотодиода и усилителя, поскольку это ограничивает максимальную скорость передачи данных. Фотодиоды имеют время отклика, которое зависит от их клеммной емкости. Максимальная частота отклика обычно принимается как критическая частота для цифрового импульса с определенным временем нарастания, равным 0,35 / (время отклика).

Гарантия и доставка

Компания Олниса – мультибрендовый поставщик промэлектроники и оборудования – предлагает купить фотодиоды и аналогичные продукты от топовых брендов со всего мира. Доставка осуществляется во все регионы РФ и страны СНГ. Олниса сохраняет полную гарантию от производителей на весь товар.