Драйверы MOSFET и IGBT (9 брендов, 34 товара)

Купить Драйверы MOSFET и IGBT в компании Олниса можно оптом или в розницу. Доставим Драйверы MOSFET и IGBT в любой регион России. Можем предложить точный аналог. Работаем напрямую с производителем, не используя посредников.

Драйверы IGBT и MOSFET c максимальным напряжением питания 32В

Модели VO3120 и VO3150A с выходным током до 2,5 и 0,5 А, соответственно, состоят из светодиода, оптически соединенного с интегральной схемой, с силовым выходным каскадом, работающим от 15-32 В. Устройства подходят для прямого управления IGBT с номинальным напряжением до 800 В. и 50 А для VO3120 и 20 А для VO3150A. Предлагаемые в бессвинцовых и совместимых с RoHS корпусах, драйверы имеют низкое энергопотребление 2,5 мА и максимальную рабочую температуру окружающей среды + 110 ° C.

Новые драйверы Vishay IGBT и MOSFET 

Vishay Intertechnology, Inc. расширили свой портфель оптопар двумя новыми драйверами IGBT и MOSFET. Выпущенные сегодня, 2,5-А VO3120 и 0,5-А VO3150A сочетают в себе самое широкое рабочее напряжение с высокими диапазонами рабочих температур окружающей среды и низким энергопотреблением, чтобы обеспечить лучшее управление температурой и более гибкий выбор конструкции для моторных приводов, верхних частей индукционных плит, источников питания и многие другие высоковольтные приложения.

Каждый новый VO3120 и VO3150A состоит из светодиода, оптически соединенного с интегральной схемой с силовым выходным каскадом, который имеет диапазон рабочего напряжения от 15 В до 32 В. VO3120 и VO3150A имеют выходной ток до 2,5 и 0,5 А. соответственно. Напряжение и ток, подаваемые новыми драйверами, делают их идеальными для прямого управления IGBT с номиналами до 800 В и 50 А для VO3120 и 20 А для VO3150A. Их диапазон рабочего напряжения до 32 В, самый высокий в отрасли, позволяет VO3120 и VO3150A управлять более крупными модулями, для которых обычно требуется двусторонний источник питания, что дает разработчикам больше возможностей выбора при выборе компонентов питания.

Оба драйвера имеют максимальную рабочую температуру окружающей среды + 110 ° C, что упрощает управление температурным режимом, позволяя разработчикам размещать их ближе к IGBT и / или использовать радиаторы меньшего размера. Низкое энергопотребление 2,5 мА также помогает свести к минимуму рассеивание энергии и тепла. Компания Vishay предоставляет тепловые модели для помощи проектировщикам в тепловом моделировании.

Модули MOSFET для работы при высоких температурах

Модель QJD1210006 с диодом Шоттки на 50 А и QJD1210007 с диодом на 100 А рассчитаны на 1200 В и обеспечивают общее снижение потерь мощности на 54% при работе на частоте 20 кГц. Построенные в полумостовой конфигурации, блоки оснащены полевым МОП-транзистором из карбида кремния на 100 А / переключатель с 2 переключателями / модель. Все компоненты и межсоединения изолированы от опорной плиты с теплоотводом, что упрощает сборку системы и управление температурным режимом. Изделия имеют температуру перехода от -40 до + 200 ° C.

Powerex представляет 2 новых модуля полевых МОП-транзисторов на 1200 В, 100 А с двойным карбидом кремния, предназначенных для обеспечения высокой эффективности.

В результате коммерческой разработки, основанной на продвинутой работе с Cree, Inc. и Исследовательской лабораторией ВВС США (AFRL), Powerex теперь предлагает два новых модуля MOSFET из карбида кремния (SiC) (QJD1210006 и QJD1210007), работающие при температуре намного превышающей те, которые возможны с модулями на основе кремниевых IGBT. По сравнению с кремниевым IGBT-модулем того же номинала (работающим при температуре перехода 150 ° C) модуль на основе SiC MOSFET имеет на 38 процентов меньшие потери проводимости и на 60 процентов меньшие коммутационные потери, что дает общее снижение потерь мощности на 54 процента, когда работал на частоте 20 кГц.

Предлагая инновационный дизайн корпуса, эти модули построены в полумостовой конфигурации и оснащены SiC MOSFET 100 А на коммутатор с двумя коммутаторами на модель. В обоих стилях используются карбидокремниевые диоды Шоттки для обратного восстановления. Все компоненты и межкомпонентные соединения изолированы от опорной плиты с теплоотводом, что упрощает сборку системы и управление температурой.

Номинальные значения 100 А / 1200 В, QJD1210006 и QJD1210007 характеризуются:

• Повышенными температурами перехода: от -40 до + 200 ° C=
• Высокой скоростью переключения
• Низкие потери при переключении
• Низкая емкость или низкие требования к приводу
• 2 Версии Sic Шоттки диодного (50A для QJD1210006, 100А для QJD1210007)

Предназначены данные устройства для энергетических систем, требующих низкой проводимости и коммутационные потери.

Где купить драйверы MODFET и IGBT

На сайте мультибрендового поставщика Олниса предложены драйверы MODFET и IGBT от лидирующих производителей отрасли. На весь товар сохраняется полная заводская гарантия. Компания Олниса осуществляет доставку по территории РФ и в страны СНГ.