Транзистор Toshiba

Купить Транзистор Toshiba в компании Олниса можно оптом или в розницу. Доставим Транзистор Toshiba в любой регион России. Можем предложить точный аналог. Работаем напрямую с производителем, не используя посредников.

Транзистор – это один из основных полупроводниковых элементов, используемый для усиления, преобразования и генерирования электрических сигналов (иными словами – это устройство для контроля электрического тока, проходящего сквозь прибор). Производится это устройство с полупроводниковых материалов, в основном кремниевого или германиевого сплава.

Транзисторы делятся на два вида:

• полевой
• биполярный

В полевых транзисторах управление электрическим током, что проходит сквозь него, проводится электрическим полем. Эти устройства называют униполярными. Это означает, что принцип работы основывается на работе одного вида носителя. В свою очередь полевые транзисторы делятся на два типа:

• с изолирующим затвором, который еще называют MOSFET
• с управляющим p-n переходом

Каждый транзистор оснащен тремя электродами: утечка, сток и затвор.

Более 30 лет компания Toshiba является одним из мировых лидеров в разработке и создании транзисторов, и многих других компонентов.

В большинстве своем транзисторы Toshiba используют только в тех устройствах, которые требуют мгновенного управления мощной энергией. Так, например, их используют в роли силового ключа для разнообразных устройств в импульсном блоке питания, в инверторе напряжения, а так же в сварочном оборудовании инверторного типа. Insulated Gate Bipolar Transistor – биполярный транзистор с изолированным затвором - это комбинация входящего сопротивления MOSFET транзистора с большим напряжением коммутации двухполюсного транзистора. Направленная проводимость биполярного транзистора позволяет сделать его использование наилучшим в тех случаях, в которых нужны напряжения высокой амплитуды и увеличенные токи коммутации.

Олниса представляет класс IGBT-транзисторов Toshiba, что предоставляют скоростное переключение, при помощи различных комбинаций довольно малого количества инжектированных носителей.

Главные особенности IGBT-транзисторов Toshiba:

• Молниеносное переключение до 2 мкс.
• Небольшое падение напряжения на открытом транзисторе и при высоких токах.
• Присутствие встроенных электродов с подходящими свойствами

Большое входное сопротивление, которое дает возможность управлять Insulated Gate Bipolar Transistor, используя напряжение.

В структуре Insulated Gate Bipolar Transistor  4 слоя (pnpn). Невысокое напряжение насыщения доходит с помощью pnp транзистора, который моделирует проводимость тогда, когда транзистор работает.

Купить транзистор Toshiba

Каталог продукции Олниса, являющейся мультибрендовым поставщиком электронного оборудования в России и по всем странам СНГ, содержит широкий выбор транзисторов Toshiba. Мы поможем подобрать и доставим в любую точку России любое электротехническое оборудование. Сотрудничая с Олниса, клиент получает неизменно профессиональный сервис, доставку заказанной продукции до двери, возможность рассрочки платежа и неизменно – соблюдение гарантийных обязательств