Карта памяти 6ES7952-1KP00-0AA0 Siemens

Купить Карта памяти 6ES7952-1KP00-0AA0 Siemens в компании Олниса можно оптом или в розницу. Доставим Карта памяти 6ES7952-1KP00-0AA0 Siemens в любой регион России. Можем предложить точный аналог. Работаем напрямую с производителем, не используя посредников.

Различные типы ПЗУ

Хотя все ПЗУ в основном служат одной цели, сегодня широко используются несколько различных типов. Понимание различных типов ПЗУ также поможет понять, как они используются для различных приложений и какой тип может применяться к конкретному приложению.

В промышленности используются следующие типы ПЗУ:

• PROM (программируемое ПЗУ)
• EPROM (стираемое программируемое ПЗУ)
• EEPROM (электрически стираемое программируемое ПЗУ)
• Флэш-СППЗУ

PROM (программируемое ПЗУ) и OTP

PROM относится к типу ПЗУ, в которое пользователь может записывать информацию. Другими словами, PROM — это программируемая пользователем память.

Для каждого бита PROM существует предохранитель. PROM программируется перегоранием предохранителей. Если информация, записанная в ППЗУ, неверна, это ППЗУ необходимо выбросить, поскольку его внутренние предохранители уже вышли из строя. По этой причине PROM также называют OTP (One Time Programmable).

Программирование ПЗУ, также называемое записью ПЗУ, требует специального оборудования, называемого устройством записи ПЗУ или программатором ПЗУ.

EPROM (стираемое программируемое ПЗУ) и UV-EPROM

EPROM был изобретен для того, чтобы можно было вносить изменения в содержимое PROM после его записи.

В EPROM 6ES7952-1KP00-0AA0 SIMATIC S7 memory card for S7-400 можно запрограммировать микросхему памяти и стереть ее тысячи раз. Особенно это необходимо при разработке прототипа микропроцессорного проекта. Широко используемый EPROM называется UV-EPROM, где UV означает ультрафиолет. Единственная проблема с UV-EPROM заключается в том, что стирание его содержимого может занять до 20 минут. Все чипы UV-EPROM имеют окно, через которое программатор может светить ультрафиолетовым (УФ) излучением, чтобы стереть содержимое чипа. По этой причине СППЗУ также называют УФ-стираемой СППЗУ или просто УФ-СППЗУ.

Чтобы запрограммировать микросхему UV-EPROM, необходимо выполнить следующие шаги:

1. Его содержимое должно быть стерто. Чтобы стереть чип, его следует извлечь из гнезда на системной плате и поместить в оборудование для стирания СППЗУ, чтобы подвергнуть его воздействию УФ-излучения на 5-20 минут.
2. Далее чип программируется. Чтобы запрограммировать микросхему UV-EPROM, ее помещают в устройство записи ПЗУ (программатор). Для записи кода или данных в СППЗУ устройство записи ПЗУ использует 12,5 В или выше, в зависимости от типа СППЗУ. Это напряжение обозначается как Vpp в техническом описании UV-EPROM.
3. Далее микросхему возвращают обратно в гнездо на системной плате.

Как видно из приведенных выше шагов, имеется не только программатор (записывающее устройство) СППЗУ, но и отдельное оборудование для стирания СППЗУ.

Основная проблема и главный недостаток UV-EPROM заключается в том, что его нельзя стереть и запрограммировать, пока он находится в системной плате. Для решения этой проблемы была изобретена EEPROM.

EEPROM (электрически стираемое программируемое ПЗУ)

EEPROM имеет несколько преимуществ перед EPROM, например, тот факт, что его метод стирания является электрическим и, следовательно, мгновенным, в отличие от 20-минутного времени стирания, необходимого для UV-EPROM.

Кроме того, в EEPROM можно выбрать, какой байт стирать, в отличие от UV-EPROM, в котором стирается все содержимое ПЗУ.

Однако главное преимущество EEPROM заключается в том, что его содержимое можно запрограммировать и стереть, пока оно еще находится в системной плате. Не требует физического извлечения микросхемы памяти из гнезда. Другими словами, в отличие от UV-EPROM, EEPROM не требует внешнего устройства стирания и программирования.

Чтобы полностью использовать EEPROM, разработчик должен включить схему для программирования EEPROM в системную плату. В целом стоимость бита для EEPROM намного выше, чем для UV-EPROM.

Флэш-память СППЗУ

С начала 1990-х годов Flash EPROM стала популярной программируемой пользователем микросхемой памяти. 

Во-первых, стирание всего содержимого занимает меньше секунды или, можно сказать, мгновенно, отсюда и название — флэш-память. Кроме того, метод стирания является электрическим, и по этой причине его иногда называют Flash EEPROM. Чтобы избежать путаницы, ее обычно называют флэш-памятью.

Основное различие между EEPROM и флэш-памятью заключается в том, что при стирании содержимого флэш-памяти стирается все устройство, в отличие от EEPROM, где можно стереть нужный байт. Хотя во многих недавно выпущенных флэш-памятях содержимое разделено на блоки, и стирание может выполняться блок за блоком, в отличие от EEPROM, флэш-память не имеет опции стирания байтов.

Поскольку флэш-память можно программировать, когда она находится в разъеме на системной плате, она широко используется для обновления ПЗУ BIOS ПК. Некоторые разработчики считают, что флэш-память заменит жесткий диск в качестве носителя информации.

Это значительно увеличило бы производительность ПЛК, поскольку флэш-память является полупроводниковой памятью со временем доступа в диапазоне 100 нс по сравнению со временем доступа к диску в диапазоне десятков миллисекунд. Чтобы это произошло, циклы программирования/стирания флэш-памяти должны стать бесконечными, как и у жестких дисков.

Цикл программирования/стирания относится к тому количеству раз, которое чип может быть стерт и перепрограммирован, прежде чем он станет непригодным для использования. В настоящее время цикл программирования/стирания составляет 100 000 циклов для флэш-памяти и EEPROM, 1000 циклов для UV-EPROM и бесконечен для ОЗУ и дисков.

Купить карта памяти 6ES7952-1KP00-0AA0 Siemens

Олниса – мультибрендовый поставщик промышленной автоматики и компонентов – предлагает обширный ассортимент модулей памяти для ПЛК как для хранения данных, так и для программирования непосредственно контроллера без подключения сторонней аппаратуры. Гарантия предоставляется в полном объеме на все модельные ряды. Заказ доставляется в регионы РФ и страны СНГ.