FP50R12KE3 IGBT модуль

Купить FP50R12KE3 IGBT модуль в компании Олниса можно оптом или в розницу. Доставим FP50R12KE3 IGBT модуль в любой регион России. Можем предложить точный аналог. Работаем напрямую с производителем, не используя посредников.

Что такое технология IGBT

IGBT – электронное оборудование, сочетающее в себе черты полевого и биполярного транзистора. Название этого полупроводника является сокращением от словосочетания Insulated Gate Bipolar Transistor. В переводе с английского название прибора расшифровывается, как биполярный транзистор с изолированным затвором. Сокращают его до аббревиатуры БТИЗ – такое название также бытует в описаниях устройства.

Транзисторы IGBT, что входят в состав IGBT модулей, стали широко известны еще в конце 20 века. Их изобретение – плод кропотливого труда инженеров, что хотели создать быстродействующие переключатели нового типа. Сначала был придуман МОП-транзистор или иначе его называют MOSFET. Его применение внесло существенные изменения в сфере силовой импульсной техники. Но, несмотря на все достоинства этого быстродействующего переключателя, у него нашлись и минусы. Это слабые свойства прямой проводимости и другие. Устройства на базе IGBT-технологий смогли соединить в себе лучшие стороны полевых и силовых биполярных транзисторов. Компоненты MOSFET продолжают быть популярными и по сей день, но теперь они применяются в основном для высокочастотного импульсного оборудования.

IGBT транзистор оптимален для использования в промышленной сфере. Его электрические характеристики начинаются от 300 Вольт, частотный диапазон простирается до 10 кГц. Соответственно, приборы, оснащенные такими электронными компонентами, являются подходящими для промышленной частоты. Например, их используют для преобразователей частот.

Современные IGBT-модули производства Infineon

IGBT нечасто применяются в отдельном исполнении, в виде модульных конструкций они более популярны. Модули удобнее размещать в различных аппаратах – они компактны и высокотехнологичны. Одной из известных компаний, что стала массово выпускать силовую технику, IGBT-модули, является компания Infineon Technologies. Она поставляет на мировой рынок разноплановую электронную продукцию, начиная микроконтроллерами и заканчивая комплексными решениями по автоматизации предприятий. Рассмотрим разнообразие модулей на IGBT транзисторах фирмы Infineon на примере одного оборудования: модуль FP50R12KE3.

Технические характеристики прибора

• Тип устройства: IGBT-модуль биполярных транзисторов с изолированным затвором.
• Число ключей в модульной конструкции: семь.
• Рабочий ток при 25°C: 75 Ампер.
• Температурный диапазон: мин. – 40 °C – макс. + 125 °C.
• Напряжение К-Э: 1200 Вольт.
• Вес модуля: 0,3 кг.
• Способ установки: Chassis Mount
• Технология кристалла: NPT.

Где приобрести силовую электронику Infineon

Современный и надежный в эксплуатации FP50R12KE3 IGBT модуль мирового бренда Infineon Technologies можно приобрести на сайте поставщика, в компании Олниса. Здесь кроме передовых IGBT-модулей нового поколения собрана вся лучшая промышленная электроника от именитых производителей. Есть множество электронных компонентов, аксессуаров, а также есть комплексные решения для автоматизации производств.

Олниса – мультибрендовый поставщик, у которого всегда есть в наличии качественная продукция от 5 тысяч и более изготовителей. Для клиентов доступны:

• быстрая доставка по стране и по СНГ;
• экспресс-доставка сроком от 1-го рабочего дня;
• гарантия на все товары, представленная на сайте Олниса.

Компания предлагает покупателям выбрать нужные электронные товары из ассортимента, включающего в себя несколько тысяч товарных позиций. Вся продукция сертифицирована, поставляется от надежных компаний из стран ЕС, США, Азии.